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21世纪将是向如何解决能量消费问题、如何解决环保与经济发展之间的矛盾等难题发起挑战的世纪。作为实现持续发展的基本策略，如何高效率利用能源将是必不可少的关键问题。目前，随着精密技术的不断开发可控硅半导体在其特性开发方面理论上已接近极限，而作为更高性能功率半导体，被称作“SiC”与“GaAs”的新材料半导体
倍受瞩目。这里介绍新材料SiC使用时的功能特长。 |
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SiC半导体的绝缘击穿电流极限约为Si半导体的10倍 |
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SiC半导体“N-
DRIFTLAYER
（Ｎ－层数）”叠合厚度能够减少到Si半导体的约1/10。 |
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■特长
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SiC半导体与Si半导体相比，绝缘击穿电流极限强度约为Si半导体的10倍，因此能够将耐压所需晶片厚度降低到以往技术晶片的1/10。另外理论上能量损失能够控制在1/100以内，在高温状态下其工作范围也能够扩展到Si半导体工作范围的数倍以上。这种半导体技术将成为下一代功率转换装置中进一步提高机器设计技术的机动力。 |
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